日本ceramic forum半導體分析裝置測量結晶 HERA FT1230 特點介紹

DLTS方法是一款高感度測量結晶缺陷導致的電子狀態(tài)的良好方法。

即便是內(nèi)在微小的雜質或格子缺陷也會很大程度上影響半導體材料性能，所以此類測量非常重要。

DLTS方法是一種通過將深準位捕獲的carrier（比如電子）釋放于Band帶上后，顯示其與試料結合容量的過度變化的一種手法，

從而可以得知深準位的參數(shù)（能量級別、捕獲斷面積）、濃度值、空間分布等信息。

日本ceramic forum半導體分析裝置測量結晶 HERA FT1230 規(guī)格參數(shù)

HERA-DLTS

基本DLTS測量

數(shù)碼DLTS測量

Laplace DLTS測量 包含以上3中模式

可測量范圍

C/V, I/V, C(t) 測量

C/V, I/V, 特性實施

參雜濃度

勢壘高度Barrier height

肖特基的理想系數(shù)

氧化膜厚度計算

DLTS測量可選項

傅里葉（Fourier）轉換

Laplace轉換

多指數(shù)函數(shù)過度FIT

ITS（等溫過度頻譜）信號再折疊

Tempscan信號再折疊

發(fā)源于德國Kassel工科大學的DLTS測量裝置專業(yè)廠家。成功開發(fā)出目前在流通的DLTS系統(tǒng)中一款數(shù)碼對應設備，同時也是世界普及DLTS系統(tǒng)DL-8000的研發(fā)廠家（經(jīng)銷商BIO-RAD）。2016年推出的FT-1230與其他競爭對手的產(chǎn)品相比，擁有更多的測量模式，可對應任何材料及研發(fā)人員的需求，屬于一款的擴展性好的系統(tǒng)。